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强势推出新型封装SOD123F
2013-10-19
SOD-123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123（JEDEC DO219）封装器件，同时具有更出众的功率处理能力。比较而言，SOD-123FL封装的瓦特/ mm2 热性能比SOD-123提高达149%，比SMA提高达90.5%，比PowerMite提高达26.5%。SOD123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD123封装低25%或以上，非常适宜讲究电路板空间的便携应用。
SOD-123FL封装独有的引脚结构以及具有最佳功效的线夹设计，允许低正向电压。附带线夹的内部设计比引线粘结封装具有更优秀的浪涌电流能力，成为瞬态电压抑制应用的理想封装选择。安森美半导体已在新型封装内采用低泄漏电流硅技术，以更好地节省能量。
SOD123FL以环保、无铅的封装平台提供更佳性能。该封装采用100%锡（Sn）涂覆所有外表电镀面。其在260° C下回焊，达到1级潮湿敏感度等级（MSL），同时与现有回焊工艺逆向相容。
SOD123FL器件
SOD-123FL封装独有的引脚结构以及具有最佳功效的线夹设计，允许低正向电压。附带线夹的内部设计比引线粘结封装具有更优秀的浪涌电流能力，成为瞬态电压抑制应用的理想封装选择。安森美半导体已在新型封装内采用低泄漏电流硅技术，以更好地节省能量。
SOD123FL以环保、无铅的封装平台提供更佳性能。该封装采用100%锡（Sn）涂覆所有外表电镀面。其在260° C下回焊，达到1级潮湿敏感度等级（MSL），同时与现有回焊工艺逆向相容。
SOD123FL器件
